Re: ge-dioden in oktavefekten und ringmod
Hallo,
ich kenn jetzt nicht die Schaltungen im Einzelnen, die du dir angesehen hast 
aber generell liegt der Unterschied zwischen Ge- und Si-Dioden darin, dass die Spannung ab der sie leitend werden (Flußspannung, Vf) bei Si ca. 0,7 V und bei Ge ca 0,22...0,4 V beträgt.
Allgemeines Beispiel: Ein Transistor liefert eine Spannung von 0,5 V an eine Diode in Flußrichtung: Bei der Ge fließt schon Strom, bei der Si fließt noch keiner, sie sperrt.
Da in Effektgeräten oft (nicht immer!) die Signalspannungen in diesem Bereich liegen, macht das dann schon einen Unterschied.
Es gibt noch weitere Differenzen bei Ge/Si wie z. B. Sperrströme und Temperaturempfindlichkeit...
Gruß, Bernd
Re: ge-dioden in oktavefekten und ringmod
als beispiel mal der 'passive ringmod' der überall im netz rumgeht...
zwei trafos und vier (ge) dioden...
naja... schade dass rein zufällig die ge-dioden leer sind 
ich hab da noch welche bei denen ich nicht weiss um welche es sich handelt da nichts draufsteht... vll kann mir da jemand helfen?
einmal orangener körper mit blauer strich an einer seite (kathode?)
und orangener körper; an einer seite dicker gelber strich; andere seite dünner grauer und dünner gelber strich...
weiss da jemand was?
Re: ge-dioden in oktavefekten und ringmod
Hallo,
falls du ein Multimeter mit Diodenmessbereich hast, kannst du Diode einfach mal anklemmen, der angezeigte Wert ist die Flußspannung, den Rest s. o.
Wenn nicht schließe die Diode in Reihe mit einem 8k2 oder 10 k Widerstand an eine 9 V Batterie und messe die Spannung über der Diode. Der "Ring" an der Diode muß dabei mit dem - Pol der Batterie verbunden sein. Rest s. o.
Gruß, Bernd
Sie haben noch kein Benutzerkonto auf unserer Seite? Registrieren Sie sich kostenlos und nehmen Sie an unserer Community teil!
