Tonestack für Ruby?

Leute Leute..

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Vor dem zweiten JFET müssen zwei Widerstände (2x1M) hin, damit das Gate auf halber Betriebsspannung liegt. Sonst wird das nie funktionieren....

Und dann noch DC mäßig abkoppeln vom Tonestack --> Kondensator.

Weiters fällt mir auf, dass Volume mit 10k ziemlich klein ist. Fg von Volume + dem 47n davor beträgt.. 338Hz.

Und überhaupt.. Warum ein Puffer vorm 386? Macht nicht wirklich einen Sinn...

Lg

Zitat von Kramusha;266351

... Vor dem zweiten JFET müssen zwei Widerstände (2x1M) hin, damit das Gate auf halber Betriebsspannung liegt. Sonst wird das nie funktionieren. ... Weiters fällt mir auf, dass Volume mit 10k ziemlich klein ist. Fg von Volume + dem 47n davor beträgt.. 338Hz.

Die halbe Betriebsspannung gibt es beim Ruby (und bei vielen Schaltungen mit JFETs) auch nicht und die 47n/10k Kombination ist auch vom Ruby: http://www.runoffgroove.com/ruby.html

Zitat von Kramusha;266351

... Und überhaupt.. Warum ein Puffer vorm 386? Macht nicht wirklich einen Sinn...

Ich habe ihn mal dringelassen, da der Eingang des LM386 soweit ich weiß rel. niederohmig ist und der Tonestack dadurch stark belastet würde.

Zitat von elkulk;266358

Ich habe ihn mal dringelassen, da der Eingang des LM386 soweit ich weiß rel. niederohmig ist und der Tonestack dadurch stark belastet würde.

Ok, dasn Argument!

Der N-Channel JFET wirkt gleich wie eine Röhre, der Puffer ist also ein Kathodenfolger mit wenig Spannung. Du musst das Gitter auf halbe Ub legen, damit der JFET einen Arbeitspunkt finden kann. Ansonsten würde das Gate irgendwo in der Luft bzw. auf Masse hängen.

Mit dem Kondensator meinte ich einen 47n mit einer Seite an den Trebleabgriff und mit der anderen Seite aufs Gate.

Lg

Zitat von Kramusha;266351

... Vor dem zweiten JFET müssen zwei Widerstände (2x1M) hin, damit das Gate auf halber Betriebsspannung liegt. Sonst wird das nie funktionieren....

Jetzt habe ich auch wieder die Erklärung gefunden, weshalb das nicht richtig ist:
http://www.rason.org/Projects/jfetamp/jfetamp.htm (Abschnitt "Drain Characteristics")
oder hier:
http://%22http//www.radartuto…hl21.de.html%22

Mh.. müsste man mal messen, aber rein von meinem theoretischen Überlegungen her ists so nicht richtig. Ich bin aber auch nur Röhrenfuzzi ( JFET --> Triode).

Bei einer Röhre würde die Vorspannung so groß werden, dass kein Strom fließt, bzw. gerade ein bissi.. Der Arbeitspunkt wäre extrem beschissen.

Bei Halbleitern und den viel kleineren Spannungen kann das ganz anders sein.

Probieren wär das klügste.

Lg

Jetzt fahr ich mal größeres Geschütz auf ;D, mit Kennlinien (weswegen eigentlich nicht gleich??! :confused:):
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/1101211.htm

EDIT: Da steht auch, dass Halbleiter nicht gleich Halbleiter ist (-> JFET ungleich bipolarer Transistor)

Ja, das schon..

Ein JFET hat eine N Bahn, und am Gate ist eine P Schicht aufdotiert. Legt man jetzt eine positive Spannung ans Gate (gegenüber Source) an, hat man eine Diode und Strom fließt.
Macht mans negativ, baut sich eine Sperrschicht auf und weniger Strom kann von Drain nach Source fließen.

Soweit die Theorie.

Legt man jetzt das Gate an Masse (=0V), könnte ein Strom durch den JFET fließen, aber dann fällt eine Spannung am Sourcewiderstand ab (>0V), d.h. es baut sich eben diese Sperrschicht auf und weniger Strom fließt. Da der Sourcewiderstand arg groß ist, wird auch mächtig Spannung abfallen (bzw. die Gegenkopplung is groß) und kaum Strom fließen.. Kacka Arbeitspunkt.

Evtl. wissen die studierten hier Rat *g*

Lg Stefan